特許
J-GLOBAL ID：200903072513302920
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085387
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291187
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 従来に較べて塵埃の発生を抑制することができ、歩留まりの向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 クランプリング10の内側部には、半導体ウエハ5をガイドして下部電極3上の所定位置に位置決めするためのテーパ面10aが形成されており、このテーパ面10aには、厚さ例えば数十乃至百数十ミクロン程度の高分子樹脂膜10bが形成されている。
請求項（抜粋）：
被処理基板の外周縁部をテーパ面によってガイドし、該被処理基板を基板保持部の所定位置に導く位置決め機構を具備し、前記基板保持部に配設された前記被処理基板にプラズマを作用させて処理を行うプラズマ処理装置において、前記テーパ面に、高分子樹脂膜を形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/302
, C23C 14/22
, C23C 16/50
, C30B 25/12
, H01L 21/68
, H05H 1/46
