半導体素子の内部電圧発生回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：津国肇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-164840
公開番号（公開出願番号）：特開平11-202955
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】外部電圧Vccのレベルが低下するとき、該外部電圧Vccを直接内部電圧Vddとして供給して内部電圧のレベル低下を防止し得る半導体素子の内部電圧発生回路を提供すること。【解決手段】外部電圧Vccのレベルが低下してスイッチングトランジスタが線形領域で動作すると、前記外部電圧Vccを直接内部電圧Vddに連結させて内部電圧Vddの急激な低下を防止し、半導体素子の誤動作を防止し得るように内部電圧発生回路を構成する。

請求項（抜粋）：

基準電圧により外部電圧のレベルを変換して出力する電圧発生部と、該電圧発生部の出力及び帰還する内部電圧が入力されて所定レベルの内部電圧を出力する駆動部と、外部電圧のレベルが所定レベル以下に低下すると、これを感知して該当の信号を出力する領域感知部と、該領域感知部の出力信号により外部電圧を内部電圧として供給又は遮断するスイッチング部とから構成されたこと、前記領域感知部は、基準電圧により外部電圧のレベルを変換して出力する第2電圧発生部と、基準電圧により外部電圧のレベルを前記第2電圧発生部の出力電圧のレベルよりも低い電圧レベルに出力する第3電圧発生部と、前記第2電圧発生部の出力電圧及び前記第3電圧発生部の出力電圧のレベルを比較して出力する比較部32とを備えたこと、を特徴とする半導体素子の内部電圧発生回路。

IPC (5件)：

G05F 1/56 320 , G11C 11/413 , G11C 11/407 , G11C 16/06 , H03K 19/00

FI (5件)：

G05F 1/56 320 C , H03K 19/00 A , G11C 11/34 335 A , G11C 11/34 354 F , G11C 17/00 632 A

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