特許

J-GLOBAL ID：200903072515321248

プラズマCVD方法及びその装置

発明者： 豊田 一行 ,  田中 勉 ,  鈴木 貞之
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181123
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007960
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】プラズマCVD装置に於いて、低圧から高圧迄の広い圧力範囲でのCVDプロセスを可能とし、又プラズマ発生用の高周波電力を容易に変調可能とする。【構成】反応室外部にプラズマ発生用のコイル11を設置して装置を構成することによって低コスト化を図り、該コイルに印加する高周波電力を変調することにより、プラズマCVDのプロセスマージンを広げる。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生用コイルに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、プラズマを利用してCVDを行う方法に於いて、前記プラズマ発生用コイルに印加する高周波電力の1周期に於ける高周波電力の波高値の変化の態様を変更して、プラズマの電子温度制御を行うことを特徴とするプラズマCVD方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C