特許

J-GLOBAL ID：200903072521314113

デンドリマーを用いるメモリ素子

発明者： 李 相 均 ,  周 原 提 ,  金 ▲哲▼ 熙 ,  姜 潤 錫
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-377180
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191083
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】不揮発性特性を有し、高集積度および低消費電力の特性を実現して製造工程が単純であるうえ、製造コストが低いメモリ素子を提供する。【解決手段】上部電極10と下部電極30との間に有機材料層20を含むメモリ素子100であって、有機材料層20が、少なくとも1つの電子供与基(electron donating group)および少なくとも1つの電子受容基(electron accepting group)を有するデンドリマーを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

上部電極と下部電極との間に有機材料層を含むメモリ素子であって、 前記有機材料層が、少なくとも1つの電子供与基および少なくとも1つの電子受容基を有するデンドリマーを含むことを特徴とするメモリ素子。

IPC (2件)：

H01L 27/28 ,  H01L 51/05

FI (1件)：

H01L27/10 449

Fターム (12件)：

5F083FZ07 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭62-956882号公報
  
• 米国特許公開第2002-163057号明細書
  
• 米国特許第6,055,180号明細書