特許
J-GLOBAL ID：200903072522764376
半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280777
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129647
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 バンプのシェア強度の低下やバンプの剥離が発生せずに高い信頼性を有し、しかも、バリアメタルの形成工程を複雑化することなく製造可能な半導体素子を提供する。【解決手段】 バリアメタルを介して電極パッドの上にバンプが形成された半導体素子である。前記バリアメタルは、チタンを含む第1の膜、ニッケルチタン化合物を含む第2の膜、およびニッケルを含む第3の膜が順次形成された積層膜であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
バリアメタルを介して電極パッド上にバンプが形成された半導体素子であって、前記バリアメタルは、チタンを含む第1の膜、ニッケルチタン化合物を含む第2の膜、およびニッケルを含む第3の膜が順次形成された積層膜であることを特徴とする半導体素子。
FI (4件)：
H01L 21/92 602 J
, H01L 21/92 602 H
, H01L 21/92 603 E
, H01L 21/92 604 B
