特許
J-GLOBAL ID:200903072525029073

半導体パッケージの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西田 新
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-327184
公開番号(公開出願番号):特開平8-186141
出願日: 1994年12月28日
公開日(公表日): 1996年07月16日
要約:
【要約】【目的】 一対のフィルムを用いて半導体パッケージを製造する際に、パッケージの変形や金型とフィルムとの間への封止材料の回り込みが起きないようにする。【構成】 金型3上に半導体装置23を一対のフィルム21、25間に挿入した状態でセットしたのち金型3、4を閉じ、その状態で両フィルム21、25間に封止材料34を注入してキャビティ6内に充填することにより半導体装置23を封止する方法において、上記フィルム21、25として、高温時の引張強さが0.5〜15.0kgf/mm2 であり、かつ、その高温時の伸び率がMDおよびTD方向のいずれにおいても200%以上であるフィルムを用いる。
請求項(抜粋):
半導体装置を樹脂封止してなる半導体パッケージを製造するに際し、半導体パッケージ成形用金型上に、半導体装置および封止材料を一対のフィルムの間に挿入した状態でセットしたのち、金型を閉じ、次いで同フィルム間の封止材料を加圧および加熱して金型キャビティ内に注入することにより、上記半導体装置を封止する半導体パッケージの製造方法において、上記フィルムとして、上記封止工程における高温時の引張強さが0.5〜15.0kgf/mm2であり、かつ、その高温時の伸び率が押出方向および直角方向のいずれにおいても200%以上であるフィルムを用いることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
IPC (5件):
H01L 21/56 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  B29K105:20 ,  B29L 31:34

前のページに戻る