半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196345
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340526
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】保護シートで覆った半導体ウェハをダイシングカットしてチップ化する際、保護シートの切り屑の残留によるチップの汚染を防止するとともに、保護シートの剥離を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】保護シート1のうち半導体ウェハ11を覆う面とは反対側の面を治具4に固定し、保護シート1を治具4に固定したまま、保護シート1のうちダイシングカットする領域に対応する領域を除去した後、保護シート1を治具4に固定したまま、半導体ウェハ11の一面に貼り合わせ、保護シート1が貼り合わされた半導体ウェハ11に対し、治具4を保護シート1から取り外した後、保護シート1における除去された領域である溝部6に沿ってダイシングカットすることによりチップ化する。

請求項（抜粋）：

一面側を保護シート(1)で覆った半導体ウェハ(11)をダイシングカットしてチップ化する半導体装置の製造方法において、前記保護シートのうち前記半導体ウェハを覆う面とは反対側の面を治具(4)に固定する治具固定工程と、前記保護シートを前記治具に固定したまま、前記保護シートのうち前記ダイシングカットする領域に対応する領域を除去する除去工程と、しかる後、前記保護シートを前記治具に固定したまま、前記半導体ウェハの前記一面に貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記保護シートが貼り合わされた半導体ウェハに対し、前記治具を前記保護シートから取り外した後、前記保護シートにおける前記除去された領域(6)に沿ってダイシングカットすることによりチップ化するダイシングカット工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-318719 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-177506 出願人：株式会社デンソー
基板の分割方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-331406 出願人：ソニー株式会社

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