特許
J-GLOBAL ID:200903072535114311

マイクロメカニック構造及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-550035
公開番号(公開出願番号):特表2003-519384
出願日: 2000年12月09日
公開日(公表日): 2003年06月17日
要約:
【要約】本発明は、マイクロメカニック構造並びにその製造方法に関する。前記マイクロメカニック構造は係留装置(20)を有する基板と、曲げばね装置(40)を介して係留装置(20)に結合された慣性質量(30)とを有している。慣性質量(30)は静止位置から弾性的に偏位可能である。慣性質量(30)は中間室を有し、その下にある犠牲層(50)をエッチングすることによって偏位可能に構成することができる。犠牲層(50)は慣性質量(30)の下にある第1の領域では第1のエッチング可能な厚さ(d1)で与えられておりかつ慣性質量(30)の下にある第2の領域では第2のエッチング可能な厚さ(d1+d2+d3)で与えられている。この場合、第2の厚さ(d1+d2+d3)は第1の厚さ(d1)よりも大きい。慣性質量(30)は第1の領域ではエッチングに際してエッチング残渣の堆積を制限するために最高でも2つのエッチングフロントしか互いに衝突しないように構造化されている。
請求項(抜粋):
マイクロメカニック構造、特に加速度センサ又は回転レートセンサであって、-係留装置(20)を有する基板(10)を備えており、-前記係留装置(20)に曲げばね装置(40)を介して結合された慣性質量(30)が弾性的に静止位置から偏位可能であり、-前記慣性質量(30)が中間室を有し、慣性質量(30)の下にある犠牲層(50)のエッチングによって偏位可能に構成でき、-前記犠牲層(50)が前記慣性質量(30)の下にある第1の領域では第1のエッチング可能な厚さ(d1)で存在しかつ前記慣性質量(30)の下にある第2の領域では第2のエッチング可能な厚さ(d1+d2+d3)で存在しており、この場合、前記第2の厚さ(d1+d2+d3)が前記第1の層(d1)よりも大きく、-前記慣性質量(30)が第1の領域にて、エッチングに際してエッチング残渣の堆積を制限するために最高でも2つのエッチングフロントしか衝突しないように構造化されていることを特徴とする、マイクロメカニック構造。
IPC (6件):
G01P 15/125 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84
FI (6件):
G01P 15/125 Z ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84 Z
Fターム (15件):
2F105BB01 ,  2F105BB12 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  4M112AA02 ,  4M112CA21 ,  4M112CA22 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA07 ,  4M112EA02 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06

前のページに戻る