半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237504
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074745
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】半導体の選択的なエッチング方法に関し。欠陥を生ずることなくかつ精密にマスクパターンを転写することを目的とする。【構成】半導体1上のマスク2を用いて半導体1を選択的にエッチングする工程と,選択的エッチングにより表出された半導体1の表出面4を酸化して酸化膜6を形成する酸化工程と,マスク2を用いて酸化膜6を選択的にエッチングして,エッチング領域の側壁部に形成された酸化膜6をマスク用酸化膜7として残し,マスク2の開口3直下に位置する該酸化膜6を除去する酸化膜エッチング工程と,マスク2及びマスク用酸化膜7をマスクとして半導体1を選択的にエッチングする選択エッチング工程とを有して構成し,及び,上記酸化工程,上記酸化膜エッチング工程及び上記選択エッチング工程を複数回繰り返し,所期の深さまでエッチングするように構成する。

請求項（抜粋）：

マスクを用いて半導体を選択的に異方性エッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において,該半導体(1)上に設けられた該マスク(2)を用いて該半導体(1)を選択的にエッチングする第一の選択エッチング工程と,該半導体(1)の選択的エッチングにより表出された該半導体(1)の表出面(4)を酸化して酸化膜(6)を形成する酸化工程と,次いで,該マスク(2)を用いて該酸化膜(6)を選択的にエッチングして,該エッチング領域の側壁部に形成された該酸化膜(6)をマスク用酸化膜(7)として残し,該マスク(2)の開口(3)直下に位置する該酸化膜(6)を除去する酸化膜エッチング工程と,次いで,該マスク(2)及びマスク用酸化膜(7)をマスクとして該半導体(1)を選択的にエッチングする第二の選択エッチング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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