特許
J-GLOBAL ID：200903072538378360
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331284
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193084
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】ヘテロ接合型バイポータトランジズタのコレクタ層としてバンドギャップの異なる半導体より構成し、かつこのヘテロ接合のバンド不連続に起因したキャリアの蓄積効果を回避する為に、相反する伝導型の高濃度不純物濃度領域をこのヘテロ界面の両側に配した構成によりコレクタ領域での高速走行と高いコレクタ耐圧を実現するものである。【構成】本発明のHBTの構造はn-InPエミッタ層16、p+ InGaAsベース層15、ベース層15に接して設けられたi-InGaAsコレクタ層14、これに続く第2のn-InPコレクタ層13より形成され、コレクタ層を形成する層13-14ヘテロ界面に接してInGaAs側にはp+ をInP側にはn+ 領域を形成する。これにより、高速性能と高いコレクタ耐圧を有するHBTを得ることができる。
請求項（抜粋）：
一導電型のコレクタ層上に形成した反対導電型のベース層と該ベース層上に形成したバンドギャップが前記ベース層より広いエミッタ層を有するヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、前記コレクタ層中にベース・コレクタ接合から遠ざかる方向にバンドギャップが不連続に増加する領域を有し、且つ、この不連続を形成するヘテロ界面を隔てて、バンドギャップが狭い領域では該半導体を構成する導電型とは反対の導電型を示す高濃度領域を、バンドギャップが広い領域では該半導体層と同一導電型の高濃度領域を選択的に接近して形成する事を特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
