特許

J-GLOBAL ID：200903072542667628

有機発光表示装置及びその製造方法

発明者： 崔 ▲ジュン▼ 厚 ,  許 宗 茂
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-031927
公開番号（公開出願番号）：特開2007-219517
出願日： 2007年02月13日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善する。【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成される第1及び第2信号線と、前記第1及び第2信号線と接続され、第1半導体を有するスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタと接続され、第2半導体を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと接続される第1電極と、前記第1電極と対向する第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に形成される発光部材とを有し、前記第1半導体と前記第2半導体は互いに異なる層に形成される有機発光表示装置及びその製造方法に関する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成される第1及び第2信号線と、 前記第1及び第2信号線と接続され、第1半導体を有するスイッチングトランジスタと、 前記スイッチングトランジスタと接続され、第2半導体を有する駆動トランジスタと、 前記駆動トランジスタと接続される第1電極と、 前記第1電極と対向する第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に形成される発光部材とを有し、 前記第1半導体と前記第2半導体は互いに異なる層に形成されることを特徴とする有機発光表示装置。

IPC (7件)：

G09F 9/30 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H01L 27/32 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20

FI (8件)：

G09F9/30 338 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  G09F9/30 365Z ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20

Fターム (68件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107EE04 ,  3K107GG04 ,  3K107GG21 ,  5C094AA31 ,  5C094AA37 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094HA10 ,  5F110AA04 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110HK02 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD17 ,  5F152CE05 ,  5F152CE28 ,  5F152CE38 ,  5F152FF03 ,  5F152FF11 ,  5F152FF29