特許

J-GLOBAL ID：200903072544953598

スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法

発明者： 阿南 純一 ,  和田 裕典 ,  安岡 昭夫 ,  叶野 治
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-112517
公開番号（公開出願番号）：特開平6-306595
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：

【要約】【目的】 パーティクルの発生数が少ないスパッタリング用金属シリサイドターゲットの開発。【構成】 スパッタ面に現れるシリコン相の面積比率を23%以下、密度を99%以上とし、表面の加工変質層を一部除去して表面粗さが0.05μmを超え且つ1μm以下とし、好ましくはスパッタ面に現れる10μm以上の粗大シリコン相の存在量を10ケ/mm2 以下としたターゲット。初期パーティクルの低減を通して2次パーティクルを低減し、初期パーティクルの低減と安定期のパーティクルの低減を実現する。最大粒径20μm以下のSi粉と最大粒径60μm以下の金属粉とをSi比率低めに混合し、混合粉を合成してシリサイド粉を生成し、ホットプレスし、機械加工後、加工変質層を除去する表面処理を行う。加工変質層除去工程の負担が少ない。

請求項（抜粋）：

スパッタ面に現れるシリコン相の面積比率が23%以下であり、密度が99%以上であり、そして表面の加工変質層が一部除去され、かつ表面粗さが0.05μmを超え且つ1μm以下であることを特徴とするスパッタリング用シリサイドターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C22C 1/05