特許

J-GLOBAL ID：200903072545988905

プラズマ放電処理装置、薄膜形成方法及び基材

発明者： 大石 清 ,  福田 和浩 ,  西脇 彰 ,  水野 航 ,  戸田 義朗 ,  近藤 慶和
出願人/特許権者： コニカ株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-046914
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249492
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 薄膜を高精度で、効率よく、かつ、低コストで形成できるプラズマ放電処理装置を提供する。【解決手段】 反応性ガス及び不活性ガスを送給するガス流路と、前記ガス流路内の不活性ガスに大気圧又は大気圧近傍の圧力下で電圧を印加して励起不活性ガスを発生させ、前記反応性ガスをプラズマ化する電極と、前記ガス流路内のプラズマ化した反応性ガス及び励起不活性ガスを外部に噴出するノズルとを有するガス噴出手段を複数備え、制御手段が、各ガス噴出手段の駆動を独立して制御することにより、基材表面に薄膜を形成することを特徴とするプラズマ放電処理装置。

請求項（抜粋）：

反応性ガス及び不活性ガスを送給するガス流路と、前記ガス流路内の不活性ガスに大気圧又は大気圧近傍の圧力下で電圧を印加して励起不活性ガスを発生させ、前記反応性ガスをプラズマ化する電極と、前記ガス流路内のプラズマ化した反応性ガス及び励起不活性ガスを外部に噴出するノズルとを有するガス噴出手段を複数備え、制御手段が、各ガス噴出手段の駆動を独立して制御することにより、基材表面に薄膜を形成することを特徴とするプラズマ放電処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316 ,  H05H 1/24

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316 X ,  H05H 1/24

Fターム (26件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AC16 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045DP03 ,  5F045DP27 ,  5F045EF08 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12 ,  5F058BB07 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25