特許
J-GLOBAL ID：200903072548245407
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-158229
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251384
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】本発明は、接続孔における断線等による信頼性の低下や、コンタクト抵抗の増大を防止し得る半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板上11に形成され、この半導体基板11に形成された不純物拡散層13にコンタクトホ-ル15を有する絶縁膜14と、コンタクトホ-ル15の側部及び底部に形成された反応防止膜16と、コンタクトホ-ル15を充填するNi3 Si膜17とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、この半導体基板に設けられた所定の素子又は配線上に接続孔を有する絶縁膜と、前記接続孔の少なくとも底部に形成された反応防止膜と、前記接続孔を充填し、金属の組成比の方がシリコンのそれより大きいシリサイド膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
