特許

J-GLOBAL ID：200903072558333630

厚膜電極表面の酸化膜の除去方法

発明者： 南 信之 ,  安田 高志 ,  熊本 憲二 ,  江崎 徹
出願人/特許権者： 太平洋セメント株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-281231
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092236
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 セラミックス素子の厚膜電極表面に形成された酸化膜を電極部分を損傷することなく信頼性良く除去してハンダ濡れ性の良いセラミックス素子を提供する。【解決手段】 セラミックス素子の厚膜電極表面に形成された酸化膜を1×10-3〜3×10-2Torrに減圧された希ガス雰囲気中で、スパッタ法によりエッチング除去して、はんだ濡れ性の良いセラミックス素子を信頼性良く得る。

請求項（抜粋）：

厚膜電極の表面に形成された酸化膜を除去する方法であって、該酸化膜をスパッタ法によりエッチング除去することを特徴とする厚膜電極表面の酸化膜の除去方法。

Fターム (6件)：

5E082AA01 ,  5E082AB01 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FG26