特許

J-GLOBAL ID：200903072564640170

III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法

発明者： 大井 明彦
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099687
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294880
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 n型ドーパントおよびp型ドーパントを共存させた高ホール濃度のp型の III族窒化物薄膜およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】単結晶基板上に形成されたp型のAlx Ga1-X N(0 ≦x ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記Alx Ga1-X N 薄膜には酸素および亜鉛を共に添加する。特に、酸素の亜鉛に対する原子比(O/Zn)を1/5 以上1/2 以下とすると良い。符号1はIII 族原子、2はV 族原子である。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に形成されたp型のAlx Ga1-X N(0 ≦x ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記Alx Ga1-X N 薄膜には酸素および亜鉛が共に添加されていることを特徴とするIII 族窒化物半導体薄膜。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA24 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA66 ,  5F073CA07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F073EA29