特許

J-GLOBAL ID：200903072566670697

半導体デバイス及びその製造方法

発明者： ゾン・モ・ホァン ,  ゾン・ホァン・ソン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-357561
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297854
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 SOI構造MOSFETからボディへバイアスを印加してフローティングボディ効果を減少させることができる半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 トレンチでトランジスタを分離し、そのトレンチの内側側面にトランジスタのソースドレインと電気的に連結される側壁を形成する。トレンチのトランジスタを形成させた側と反対側の基板表面に形成させた表面シリコンにキャリア排出電極を接触させておき、ソースドレインと連結させた側壁とトレンチの反対側の側壁をその表面シリコンに連結し、双方の側壁を基板に設けたウェルで電気的に連結した。

請求項（抜粋）：

埋込酸化膜、その上の表面シリコン層を有する半導体基板内に形成されるそれぞれ独立した第1、第2導電型の不純物注入層と、第1、第2導電型の不純物注入層それぞれの上にそれぞれソース/ドレイン、そしてゲートを有するように形成された第1、第2導電型のトランジスタと、第1、第2導電型のトランジスタの間に形成される、各トランジスタを隔離するためのトレンチと、トレンチの側面に形成され、各々のトランジスタのソース/ドレインのいずれかに連結されると共に、第1、第2導電型の不純物注入層に連結される単結晶シリコン層と、各トランジスタからトレンチで分離されて一方の側に形成され、それぞれの第1、第2導電型の不純物注入層に連結され、各トランジスタでのイオン化衝撃で発生するキャリヤを排出するキャリヤ排出電極とを備えることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 626 B