特許

J-GLOBAL ID：200903072571991809

薄膜トランジスタの製造方法および表示装置

発明者： 西尾 幹夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122690
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308335
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタの製造において、シリコン膜中の欠陥を低減しトランジスタの性能を向上する方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板上にシリコン膜を形成する工程と、500°C以上に加熱する工程と、水素ラジカルまたは酸素ラジカル処理を行いながら250°C以下に冷却する工程とにより、シリコン膜中のダングリングボンド等による結晶欠陥を水素または酸素により効率良く終端し、薄膜トランジスタのON電流増大と信頼性の向上を図る。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜を500°C以上に加熱する工程と、前記シリコン膜を水素ガスを含む混合ガスにより水素ラジカル処理を行いながら250°C以下に冷却する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324

FI (7件)：

H01L 21/322 Z ,  H01L 21/324 W ,  H01L 29/78 627 E ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/26 F ,  H01L 21/26 G ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (31件)：

2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA18 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  5F110AA07 ,  5F110AA19 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ25