特許
J-GLOBAL ID：200903072574130910
CVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138385
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335250
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【構成】ボンベ1,2より供給された原料ガスは、流量制御器3,4により流量一定に保たれ、予熱器12において加熱され反応器9に導入される。このとき、質量分析器17により原料ガスの分析が行なわれ、その信号に応じて加熱制御器18によってヒータ13の温度が制御される。反応器9に導入されたガスによりウェハ7上に膜が生成される。【効果】ウェハ内及び多数のウェハ間の薄膜の成膜速度,組成,膜質の制御ができ、均一な膜を生成することができる。
請求項（抜粋）：
基板に薄膜を形成する反応手段と、前記反応手段に反応性ガスを供給するガス供給手段と、前記反応性ガスを予備加熱する予備加熱手段とを備えたCVD装置において、前記予備加熱手段と前記反応手段との間に前記反応性ガスを計測する手段を設けたことを特徴とするCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/52
, H01L 21/31
