特許

J-GLOBAL ID：200903072576138330

半導体ウェハの面取り加工面の鏡面研磨装置

発明者： 三浦 健志
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300856
公開番号（公開出願番号）：特開2000-198057
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハの表裏両面の面取り加工面の鏡面研磨加工をする時に、真空チャックの保持力が小さくても短時間での加工を可能にすると供に、面取り加工面を高精度に鏡面研磨できる半導体ウェハの面取り加工面の鏡面研磨装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ10の面取り加工面11、12を研磨する上面研磨ドラム5及び下面研磨ドラム6を組み込んだ研磨ユニット1、2とを設ける。外周側面部13を研磨する側面研磨ドラム7、8を組み込んだ研磨ユニット3、4とを設ける。それぞれの研磨ユニットには、研磨布を側面部に巻き付けた各研磨ドラムを軸支して、研磨ユニットに組み込んだ可変速モーターにより回転駆動する。

請求項（抜粋）：

予め面取り加工された半導体ウェハの外周部を研磨することにより、その外周部を鏡面研磨する面取り加工面の鏡面研磨装置であって、それぞれ同方向に回転する略円筒形状の上面研磨ドラム及び下面研磨ドラムと、研磨されるべき半導体ウェハを保持し回転駆動するウェハ保持機構とを有し、前記上面研磨ドラム及び下面研磨ドラムをその回転中心軸に直交する面を互いに交差して配置させ、上面研磨ドラムの側面と下面研磨ドラムの側面とで形成される領域をウェハ挟持域としたことを特徴とする半導体ウェハの面取り加工面の鏡面研磨装置。