特許

J-GLOBAL ID：200903072576270204

突起電極の形成方法

発明者： 牧野 健二 ,  田中 章雅
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274005
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114601
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に形成する突起電極の高さを均一にする突起電極の形成方法を提供することにある。【構成】 CCD基板10上に、Ti膜15、メッキ電極用のAu膜16を順に形成する工程と、形成したAu膜16の表面にレジスト膜17を選択的に形成し、突起電極の形成予定領域を露出させる工程と、このAu膜16に電気メッキを施し、レジスト膜17の膜厚よりも大なる膜厚となるように、突起電極の形成予定領域に電極材料層11 ́を形成する工程と、形成した電極材料層11 ́を加熱溶融し、レジスト膜17上に均一に広げる工程と、溶融した電極材料のうち、レジスト膜17上に均一に広がった部分を除去する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板にメッキ電極用の下地金属膜を形成する工程と、形成した前記下地金属膜の表面にレジスト膜を選択的に形成し、複数の突起電極の形成予定領域を露出させる工程と、前記レジスト膜を形成した前記下地金属膜の表面に電気メッキを施し、前記レジスト膜の膜厚よりも大なる膜厚となるように、前記突起電極の形成予定領域に電極材料層を形成する工程と、形成した前記電極材料層を加熱溶融し、前記レジスト膜上に均一に広げる工程と、溶融した前記電極材料層のうち、前記レジスト膜上に均一に広がった部分を除去する工程とを備えることを特徴とする突起電極の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 21/92 F ,  H01L 27/14 F