特許

J-GLOBAL ID：200903072579438378

半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 小山 邦明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356070
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175458
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は半導体記憶装置の標高差を減少すると共に半導体基板の不純物濃度を回路素子に合わせた最高値にすることである。【構成】 シリコン半導体基板1はメモリセルアレイ形成予定領域101を除きシリコン基板1より低不純物濃度の選択シリコン層4を成長させている。【効果】 周辺回路形成予定領域100は選択シリコン層4で被われており、メモリセル形成予定領域101と周辺回路形成予定領域100との間には段差が発生し、しかも、不純物濃度は互いに異なる。

請求項（抜粋）：

半導体基板のメモリセル形成予定領域に形成されたメモリセルアレイと、該メモリセル形成領域より突出した半導体基板の周辺回路形成予定領域に形成され周辺回路を構成するトランジスタとを有する半導体記憶装置において、上記メモリセル形成予定領域と周辺回路形成予定領域は不純物濃度が互いに異なっていることを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-050476
  
• 特開平1-145852
  
• 特開昭63-266866
  
• 特開平4-271168