特許

J-GLOBAL ID：200903072586801046

光半導体装置の製造方法

発明者： 浅香 航太 ,  伊賀 龍三 ,  須崎 泰正
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-026728
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232069
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 素子特性を損なわずに異種の素子構造をモノリシック集積する。【解決手段】 メサストライプ構造26を、直線メサストライプ構造を持つ第1直線領域41と、第1直線領域41に接してメサ幅が徐々に変化するメサストライプ構造を持つ遷移領域42と、遷移領域に接すると共にAWG領域に接して直線メサストライプ構造を持つ第2直線領域43とで構成し、有機金属気相エピタキシャル法により結晶を選択成長させ、メサストライプ構造26上への成長やSiO2膜35上へのInP の異常成長を抑制し、LDなどの場合に大きな吸収損失領域となる異常成長領域が発生することなく、素子特性を損なわずに異種の素子構造をモノリシック集積する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された平面構造を持つ平面領域と、該平面領域に接続された誘電体膜を持つメサストライプ構造のストライプ領域とを有する光半導体装置の製造方法であって、前記ストライプ領域を、直線メサストライプ構造を持つ第1直線領域と、該第1直線領域に接してメサ幅が徐々に変化するメサストライプ構造を持つ遷移領域と、前記遷移領域に接すると共に前記平面領域に接して直線メサストライプ構造を持つ第2直線領域とで構成し、前記ストライプ領域の横と前記平面領域の上に有機金属気相エピタキシャル法により結晶を選択成長させる工程を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/026 ,  H01S 5/227

FI (2件)：

H01S 5/026 ,  H01S 5/227

Fターム (9件)：

5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29