特許

J-GLOBAL ID：200903072588720639

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 松本 信一 ,  野口 悦男
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354397
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175599
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 半絶縁性高抵抗層埋め込み構造半導体レーザの埋め込み層に庇などを形成する工程無しで異常なく電流阻止層を形成する。【構成】 半導体基板1上に、第1のバッファ層2,活性層3,クラッド層4を形成し、第2のバッファ層3aを介して電流阻止層7を形成し、電流阻止層7の活性層3がある部分に溝を設け、そこに活性層3,クラッド層4を包むようにオーバークラッド層9を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する半導体基板と、第1の導電型を有する第1のバッファ層と活性層と前記活性層より幅が広い第2の導電型を有するクラッド層とからなり、この順に前記半導体基板上に積層されストライプ状に形成されたメサストライプと、前記メサストライプの両側面に配置され半絶縁性高抵抗層を有する電流阻止層と、前記半導体基板と電流阻止層の間に配置され前記活性層と同一の結晶からなり前記クラッド層で前記活性層と隔てられている第2のバッファ層とを有することを特徴とする半導体レーザ。