特許

J-GLOBAL ID：200903072591912140

半田バンプ付き配線基板およびその製造方法

発明者： 田中 祐二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-327820
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165328
出願日： 2002年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】半田バンプの平坦化された上端面の面積のばらつきが小さく、搭載される電子部品の電極と半田バンプとを正確かつ良好に接続することが可能な接続信頼性の高い半田バンプ付き配線基板を供給すること。【解決手段】反りを有する絶縁基板1の電子部品搭載部Aに複数の半田接合パッド3を設けるとともに半田接合パッド3上にそれぞれの上端が略同一平面上となるように研磨により平坦化された半田バンプ5を接合させて成る半田バンプ付き配線基板であって、半田バンプ5は、電子部品搭載部Aの高さが低い領域でその体積が大きく、電子部品搭載部Aの高さが高い領域でその体積が小さい。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

反りを有する絶縁基板の上面に設けた電子部品搭載部に複数の半田接合パッドを形成するとともに該半田接合パッド上にそれぞれの上端が略同一平面上となるように研磨により平坦化された半田バンプを接合させて成る半田バンプ付き配線基板であって、前記半田バンプは、前記電子部品搭載部の高さが低い領域でその体積が大きく、前記電子部品搭載部の高さが高い領域でその体積が小さいことを特徴とする半田バンプ付き配線基板。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (3件)：

H01L21/92 604E ,  H01L21/92 602G ,  H01L21/92 604Z