特許
J-GLOBAL ID:200903072592436287

半導体集積回路装置およびその試験方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲垣 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-316787
公開番号(公開出願番号):特開2001-135687
出願日: 1999年11月08日
公開日(公表日): 2001年05月18日
要約:
【要約】【課題】 オンウエハでの出力バッファと入力バッファとの間の信号伝達試験を、LSIを組み立てて実装基板上に実装した後の、LSI間の伝送線路条件に近い条件で精度良く実施可能とする。【解決手段】 出力バッファ10-1の外部出力端子IO6に接続した第1の外部パッド15と入力バッファ11-2の外部入力端子IO7に接続した第2の外部パッド16とを、LSIを実装基板上に実装した後の、LSI間の伝送線路条件に近い条件となるように、所定の抵抗及び容量でウエハ上に形成した伝送線路18で接続する。伝送線路18は、スクライブ線19上に形成し、ウエハを切り離す際に試験回路を切断する。
請求項(抜粋):
半導体ウエハ上に形成した半導体集積回路装置において、出力バッファの外部出力端子に接続した第1のパッドと、入力バッファの外部入力端子に接続した第2のパッドとを有し、前記第1のパッドと第2のパッドとを、半導体ウエハ上に形成した所定の抵抗および容量を有する伝送線路で電気的に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件):
H01L 21/66 ,  G01R 31/3185 ,  G01R 31/28
FI (2件):
H01L 21/66 F ,  G01R 31/28 W
Fターム (14件):
2G032AA01 ,  2G032AB01 ,  2G032AC03 ,  2G032AK14 ,  2G032AK15 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB01 ,  4M106AC05 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106CA05 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ18

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