特許

J-GLOBAL ID：200903072593041600

SIMOX基板、SIMOX基板の製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 藤井 稔 ,  中林 隆 ,  平井 健裕 ,  松元 道一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-308693
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167646
出願日： 1994年12月13日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 2種類以上の膜厚のシリコン単結晶薄膜を有したSIMOX基板を実現する。【構成】 2種類以上の異なった膜厚のシリコン単結晶薄膜25を有する(基板表面から埋め込み酸化膜26までの深さが2種類以上存在する)SIMOX基板である。シリコン単結晶基板21上の所望の領域にシリコン酸化膜マスク23を部分的に配置した後、酸素イオンを注入し、高温熱処理を行う。シリコン酸化膜マスク23の膜厚は、酸素イオンの注入を完全に阻止するのではなく、シリコン単結晶基板21中の所望の深さに酸素イオンの濃度のピークがくるように選択する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板上に形成された埋め込みシリコン酸化膜層と、前記シリコン酸化膜層上に形成されたシリコン単結晶薄膜層とを有するSIMOX基板であって、前記SIMOX基板の所定の領域の前記埋め込みシリコン酸化膜層が、その他の領域の前記埋め込みシリコン酸化膜層より上部に存在していることを特徴とするSIMOX基板。

IPC (6件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 27/06 321 E ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 621

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-287614   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-346312   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平4-067649
  
• 特開平4-067649