特許
J-GLOBAL ID：200903072594667502
X線マスクおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-259276
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206015
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 X線マスクのアライメントマークを透過して半導体基板に到達するアライメント光をなくすことにより、1次反射回折光による位置ズレ検出の精度を向上させる。【構成】 支持体1の表面にSiN膜よりなるX線透過膜2が形成され、該X線透過膜2の表面には、LSIパターン3と、凸状部4a及び凹状部4bからなるアライメントマーク4とが形成されている。アライメントマーク4の凸状部4aの表面にはW膜からなる可視光反射性格子パターン5が形成され、アライメントマーク4の凹状部4bの表面にはW膜よりなる金属膜7が形成されている。【効果】 レーザー光13がアライメントマーク4を通過して半導体基板30に達することがないので、アライメントマーク4からの1次反射回折光14をフォトディテクタで検知する際に、半導体基板30からの不要反射光が混入することはない。
請求項（抜粋）：
マスク支持体の表面に形成されたX線透過膜と、該X線透過膜の表面に形成されたアライメントマークとを備えたX線マスクにおいて、上記アライメントマークは上記X線透過膜の表面部が平面格子状で断面凹凸状に交互に形成された凸状部及び凹状部によって構成されており、上記アライメントマークの凸状部及び凹状部の各表面には可視光反射膜がそれぞれ形成されていることを特徴とするX線マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 331 M
, H01L 21/30 331 J
