特許
J-GLOBAL ID：200903072594807851
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094432
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291257
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 多層配線を有する半導体装置において、絶対段差によって減少したフォーカスマージンを補うことのできる配線パターンの形成を可能ならしめること。【構成】 オーバー露光となる配線重層領域301の第n層配線幅を配線単層領域より広げ、一方アンダー露光となる配線単層領域302の第n層配線間隔を配線重層領域より広げ、これにより配線ピッチを縮小させる。
請求項（抜粋）：
N層(N≧3,Nは整数)を有する半導体装置において、n-1層(N≧n>2,nは整数)以下の配線層を少なくとも1層以上有する領域における全ての第n層配線の配線幅をn-1層以下の配線層を含まない領域における第n層配線の配線幅より広げることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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