特許
J-GLOBAL ID:200903072594842126
ガス感応性積層体及びその製造方法並びにガスセンサ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 清路
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-297325
公開番号(公開出願番号):特開2002-107322
出願日: 2000年09月28日
公開日(公表日): 2002年04月10日
要約:
【要約】【課題】 絶縁膜と感応膜とが容易に剥離することのないガス感応性積層体及びその製造方法、並びにこのガス感応性積層体を有するガスセンサを提供する。【解決手段】 シリコンウェハ等の半導体層と、二酸化ケイ素等からなる絶縁膜と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化ニオブ及び酸化モリブデンのうちの少なくとも1種の酸化物を含む中間層と、Pd、Pt等の金属からなる感応膜とが、この順に積層されてなるガス感応性積層体とする。中間層は、絶縁膜の表面に、酸化物層として形成することができる。また、絶縁膜の表面に、金属層を形成した後、熱処理し、金属層を形成する金属を酸化させ、酸化物層とすることにより形成することもできる。ガスセンサは、このガス感応性積層体、基板、電極等、により形成することができる。
請求項(抜粋):
半導体と、該半導体の表面に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の表面に形成された金属からなる感応膜と、を有するガス感応性積層体において、上記絶縁膜と上記感応膜との間に酸化物からなる中間層が積層されていることを特徴とするガス感応性積層体。
Fターム (26件):
2G046AA05
, 2G046AA10
, 2G046AA11
, 2G046AA24
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BF01
, 2G046BJ07
, 2G046EA02
, 2G046EA08
, 2G046EA12
, 2G046FB02
, 2G046FE08
, 2G046FE10
, 2G046FE15
, 2G046FE16
, 2G046FE22
, 2G046FE24
, 2G046FE27
, 2G046FE29
, 2G046FE31
, 2G046FE38
, 2G046FE41
, 2G046FE44
, 2G046FE46
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