特許
J-GLOBAL ID:200903072595925726

無水けい酸光ファイバ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 土屋 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-213774
公開番号(公開出願番号):特開平5-206564
出願日: 1992年07月17日
公開日(公表日): 1993年08月13日
要約:
【要約】【構成】準位が 4I13/2から 4I15/2へと遷移するときに放射を発生する濃度(約1,000ppm)のエルビウムイオンと、準位が 2F7/2 の熱励起副準位から 2F5/2 へ励起するときに放射を吸収しかつ準位が 2F5/2 から 2F7/2 へと逆遷移するときエルビウムイオンの準位を 4I15/2から 4I11/2へ励起するような濃度(約30,000ppm)のイッテルビウムイオンと、エルビウムイオンからイッテルビウムイオンへの逆遷移を減少させるべくエルビウムイオンの 4I11/2から 4I13/2への崩壊時間を短縮させる濃度(約10モルパーセント)の燐酸塩と、濃度約8モルパーセント以下のアルミナとを備えている無水けい酸光ファイバ。【効果】高効率かつ長寿命であり、高い小信号ゲイン及び高い出力飽和パワーを有し、光ノイズが量子限界に近い無水けい酸光ファイバを提供できる。
請求項(抜粋):
量子エネルギ準位が 4I13/2準安定状態から 4I15/2基底状態へと遷移するときに放射を発生するような濃度のエルビウムイオンと、量子エネルギ準位が 2F7/2 状態の熱励起副準位から 2F5/2 準安定状態へ励起するときに放射を吸収し、かつ、量子エネルギ準位が 2F5/2 状態から 2F7/2 状態へと逆遷移するとき上記エルビウムイオンの量子エネルギ準位を 4I15/2基底状態から 4I11/2状態へ励起する濃度のイッテルビウムイオンと、上記エルビウムイオンから上記イッテルビウムイオンへのエネルギ逆遷移を減少させるべく上記エルビウムイオンの 4I11/2状態から 4I13/2状態への崩壊時間を短縮させる濃度の燐酸塩とを備えている光増幅器及び源に用いられる無水けい酸光ファイバ。
IPC (4件):
H01S 3/17 ,  C03C 13/04 ,  H01S 3/07 ,  H01S 3/094

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