特許
J-GLOBAL ID：200903072599134685
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059797
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326297
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】耐熱性にすぐれかつ微細加工が可能な金電極を有する半導体装置を提供する。【構成】Ti-TiN-Pt-Au膜からなる金電極12を形成する場合、TiN膜の厚さを50nm以上とし、かつPt膜の厚さを5〜30nmとする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に順次形成されたチタン膜と窒化チタン膜と白金膜と金膜とからなる金電極を有する半導体装置において、前記窒化チタン膜の厚さが50nm以上でかつ前記白金膜の厚さが5〜30nmであることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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