半導体パワーモジュールおよび電力変換装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-092039
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297358
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】過電圧に対する保護が確実に行われる。【構成】 IGBT1に過電流が流れると、シンクトランジスタ10がオンし、その結果、IGBT1がオフする。IGBT1がオフすることによって過電流が遮断されるので、IGBT1には高いサージ電圧が印加される。しかしながら、このとき、ツェナーダイオード6、ダイオード7、および抵抗8で構成されるクランプ回路をクランプ電流が流れ、その一部がトランジスタQ11へ分流するので、トランジスタQ12がオンし、その結果シンクトランジスタ10はオフする。このため、クランプ電流はIGBT1のゲート電圧を上昇させる。したがって、負荷電流の大部分はIGBT1を流れ、クランプ回路にはわずかしか流れない。【効果】過電流と過電圧の双方が印加されるときにも、クランプ回路の過熱および焼損が起こらない。

請求項（抜粋）：

制御電極に入力される制御信号に応答して1対の主電極の間を導通または遮断するスイッチング半導体素子と、外部から入力される入力信号に応答して前記制御信号を送出する制御手段と、前記1対の主電極のいずれかと前記制御電極との間に介挿されるとともに、前記1対の主電極の間を流れる主電流が所定の基準値を超えると、導通することによって、前記スイッチング半導体素子を遮断させる過電流保護手段と、を備える半導体パワーモジュールにおいて、前記1対の主電極のうちで前記過電流保護手段が接続される方とは異なる主電極と前記制御電極との間に介挿されるとともに、所定の基準電圧を超える電圧が印加されると導通するクランプ手段と、前記クランプ手段が導通するときに前記過電流保護手段の作動を解除する解除手段と、をさらに備えることを特徴とする半導体パワーモジュール。

IPC (3件)：

H01L 23/62 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/56 A , H01L 25/04 C

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