特許

J-GLOBAL ID：200903072602669668

容量素子およびその製造方法

発明者： 秋山 善一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-078658
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270495
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】高誘電材料を用いる容量素子の電界集中を有効に軽減させる。【解決手段】基板501上に形成された下部電極504を誘電体薄膜505により覆い尽くし、誘電体薄膜501を介して下部電極504と対向するように上部電極507を形成する。下部電極504の側縁部は傾斜を持って基板側501へ向かって広がり、上記傾斜の傾き角が上記側縁部における電界集中を有効に軽減できる大きさに定められる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成される下部電極と、この下部電極を覆い尽くすように形成される高誘電材料もしくは強誘電材料による誘電体薄膜と、この誘電体薄膜を介して下部電極と対向するように形成される上部電極とを有する容量素子であって、上記下部電極の側縁部が傾斜を持って基板側へ向かって広がり、上記傾斜の傾き角が、上記側縁部における電界集中が有効に軽減される大きさに定められたことを特徴とする容量素子。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651