特許

J-GLOBAL ID：200903072609616950

微小真空素子の製造方法

発明者： 山田 恵三
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094674
公開番号（公開出願番号）：特開平6-131970
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 コーンの形成工程を簡単にして、歩留りを向上する。【構成】 ガラス基板6上にCVD酸化膜4、タングステン3、犠牲層2となるアルミニウムを順に堆積する。この後フォトリソグラフィ工程により径0.5μm程度の微細な孔7を犠牲層2に開孔し、これをマスクにタングステン3、酸化膜4、を順に開孔する。その後コーン9となるモリブデン8を基板上方から垂直に蒸着する。最後に犠牲層2をエッチングしてリフトオフしコーン9をエミッタとする。犠牲層を二層にするとコーン全体の曲率に対して、先端部だけ大きな曲率のエミッタができる。

請求項（抜粋）：

基板の上に絶縁体を堆積する工程と、その上に第1の導電膜を堆積する工程と更にその上に犠牲層を堆積する工程と、犠牲層に孔を設ける工程と、その孔をマスクにして第1の導電膜をエッチングする工程と、この導電膜をマスクにして絶縁膜をエッチングする工程と、第2の導電材料を堆積してコーンを形成し、犠牲層をエッチングしてコーン以外の第2の導電材料をリフトオフする工程を含むことを特徴とする微小真空素子の製造方法。