特許
J-GLOBAL ID:200903072619045714

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-160981
公開番号(公開出願番号):特開2006-303525
出願日: 2006年06月09日
公開日(公表日): 2006年11月02日
要約:
【課題】 電灯や蛍光管などの代りに用いることができる半導体発光装置を1つの基板上に複数個の発光部を形成してモノリシックにより形成する場合において、配線の断線などが生じないで信頼性の高い半導体発光装置を提供する。【解決手段】 基板1上に発光層を形成するように積層された半導体積層部17が複数個に電気的に分離されることにより、複数個の発光部1が形成され、この複数個の発光部1が、配線膜3によりそれぞれ直並列に接続されている。この複数個の発光部1をそれぞれ電気的に分離する構造が、半導体積層部17に形成される分離溝17aおよびその分離溝17a内に埋め込まれる絶縁膜21により形成され、その分離溝17aは、分離溝17aを挟んだ半導体積層部17の表面が実質的に同一面になる場所に形成され、その分離溝17a上に絶縁膜21を介して配線膜3が形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板と、該基板上に発光層を形成するように半導体層を積層して半導体積層部が形成され、該半導体積層部が複数個に電気的に分離されると共に、それぞれに一対の導電形層への電気的接続部が設けられる複数個の発光部と、前記複数個の発光部を、それぞれ直列および/または並列に接続するために前記電気的接続部に接続される配線膜とを有し、前記複数個の発光部を形成するための電気的分離が、前記半導体積層部に形成される分離溝および該分離溝内に埋め込まれる絶縁膜により形成され、該分離溝は、該分離溝を挟んだ半導体積層部の表面が実質的に同一面になる場所に形成され、該分離溝上に前記絶縁膜を介して前記配線膜が形成されてなる半導体発光装置。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 E
Fターム (12件):
5F041AA31 ,  5F041BB27 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041CB23 ,  5F041CB25 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041EE25
引用特許:
出願人引用 (2件)

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