特許

J-GLOBAL ID：200903072621270172

半導体装置及びその製造方法

発明者： 川ノ上 孝 ,  金子 尚史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186331
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015598
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】製造コストの増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションによる不良の発生を抑制する。【解決手段】第2の層間絶縁膜104,Al合金上層配線103,第1の層間絶縁膜102及びAl合金下層配線101を貫通するヴィアホール105にWヴィアプラグ106が埋め込み形成されている。Wヴィアプラグ106は、Al合金上層配線103の側面に接続し、Al合金上層配線103の長手方向を分断している。また、Wヴィアプラグ106は、Al合金下層配線101の側面に接続し、Al合金下層配線101の長手方向を分断している。分断されたAl合金配線の長さLが、エレクトロマイグレーションの臨界長以下になっている。

請求項（抜粋）：

下層の配線と上層の配線とを電気的に接続するヴィアプラグを具備する半導体装置であって、前記ヴィアプラグは、少なくとも一方の層の配線の長手方向をほぼ分断するように形成されるとともに、前記ほぼ分断される配線の長手方向の長さがエレクトロマイグレーションの臨界長以下となるように配設されているを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/88 B

Fターム (61件)：

4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104EE14 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104FF22 ,  4M104HH01 ,  4M104HH20 ,  5F004AA11 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004EA21 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN16 ,  5F033NN21 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033WW01 ,  5F033XX05 ,  5F033XX33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295314   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-033650   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-260054
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-077697   出願人：株式会社東芝