特許
J-GLOBAL ID:200903072621993670

基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-082631
公開番号(公開出願番号):特開2004-296467
出願日: 2003年03月25日
公開日(公表日): 2004年10月21日
要約:
【課題】プラズマ源から発生する異物を回収して、歩留まりを向上することができるようにする。【解決手段】基板処理装置は、基板6を処理する処理室1と、処理室1外部に設けられプラズマを発生させるガス活性化部11とを有する。ガス活性化部11の上流側にN2とNF3の混合ガスを供給する混合ガス配管15を接続する。ガス活性化部11の下流側に活性化ガス供給管としてのガス導入配管2を接続して、その途中にNH3ガスを供給するNH3配管12を接続する。ガス導入配管2を処理室1に接続して、ガス活性化部11で発生させたプラズマにより活性化したガスにNH3ガスを晒して活性化し、これらの活性化された活性種を処理室1へ供給するように構成する。ガス活性化部11と処理室1とを接続するガス導入配管2に、ガス活性化部11で電離したNF3ガス等による内壁衝撃で発生した異物を回収する異物回収ユニット22を着脱自在に設ける。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板を処理する処理室と、 処理室外部に設けられプラズマを発生させるプラズマ源と、 プラズマ源で発生させたプラズマにより活性化したガスを処理室へ供給する活性化ガス供給管と、 プラズマ源と処理室との間に設けられプラズマ源で発生した異物を回収する異物回収手段と、 を有することを特徴とする基板処理装置。
IPC (1件):
H01L21/3065
FI (1件):
H01L21/302 102
Fターム (9件):
5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BC02 ,  5F004BC03 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00

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