特許
J-GLOBAL ID：200903072622090852
P型電極と活性層との間に効果的な正孔拡散のためのスペーサを備えるGaN面発光レーザダイオードおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-018803
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237653
出願日： 2002年01月28日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 GaN面発光レーザダイオードを提供する。【解決手段】 本発明の面発光レーザダイオードは、光が発生される活性層40と、活性層を中心に対向するp型物質層m1およびn型物質層m2と、n型物質層m2上に形成された第1ブラッグ反射層49と、第1ブラッグ反射層49の周りのn型物質層m2上に形成されており、第1ブラッグ物質層49を覆うように備えられたn型電極47と、p型物質層m1の上に形成されており、正孔が活性層40の中心部へ円滑に移動できる程度の厚さを有しつつ第1ブラッグ反射層49に対応する領域上にレーザ放出窓48bを備えるスペーサ48と、レーザ放出窓48b上に形成された第2ブラッグ反射層52およびレーザ放出窓48bを取り囲むようにスペーサ54上に形成されるp型電極50を備え、レーザ放出窓48bはスペーサ54によるレーザの回折を相殺させる形であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
活性層と、前記活性層を中心に対向するp型およびn型物質層と、前記n型物質層上に形成された第1ブラッグ反射層と、レイジングのための電圧を前記活性層に印加可能なように、前記n型物質層を介して該活性層に連結されるn型電極と、前記p型物質層上に形成されており、正孔が前記活性層の中心部へ円滑に移動できる程度の厚さを有しながら前記第1ブラッグ反射層に対応する領域上にレーザ放出窓を備えるスペーサと、前記レーザ放出窓上に形成された第2ブラッグ反射層と、レイジングのための電圧を前記活性層に印加可能なように、前記p型物質層を介して該活性層に連結されるp型電極と、を備えることを特徴とする面発光レーザダイオード。
IPC (2件)：
H01S 5/183
, H01S 5/343 610
H01S 5/183
, H01S 5/343 610
5F073AA51
, 5F073AA65
, 5F073AB17
, 5F073CA02
