特許
J-GLOBAL ID:200903072625181409

高電圧発生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-066284
公開番号(公開出願番号):特開平8-262882
出願日: 1995年03月24日
公開日(公表日): 1996年10月11日
要約:
【要約】【目的】 逆バイアス電圧出力時の定電流の精度が高く、かつ、部品点数が少なくて低コストの高電圧発生装置の提供を目的とする。【構成】 逆バイアス電圧出力時において、逆バイアス電圧発生制御回路1内のトランジスタTr1はオフ状態に維持され、逆バイアス電圧印加回路6には逆バイアス電圧が発生する。一方、定電流制御回路9によって定電流制御される順バイアス電圧が順バイアス電圧印加回路5に発生する。高電圧出力端4には、以上2つの電圧が重畳されて定電流制御される逆バイアス電圧が出力される。
請求項(抜粋):
順バイアス電圧を発生させる順バイアス出力発生手段と、該順バイアス出力発生手段の出力を定電圧に制御する定電圧制御手段と、前記順バイアス出力発生手段の出力を定電流に制御する定電流制御手段と、逆バイアス電圧を発生させる逆バイアス出力発生手段と、該逆バイアス出力発生手段により発生する前記逆バイアス電圧を出力する際に、前記順バイアス出力発生手段から発生する順バイアス電圧を重畳し、かつ、当該重畳された出力の電流が所定値となるように前記定電流制御手段により前記順バイアス出力発生手段を制御させる逆バイアス出力制御手段とを具えることを特徴とする高電圧発生装置。
IPC (4件):
G03G 15/16 ,  G05F 1/00 ,  H02M 3/28 ,  H02M 7/10
FI (4件):
G03G 15/16 ,  G05F 1/00 Z ,  H02M 3/28 H ,  H02M 7/10 Z

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