特許
J-GLOBAL ID：200903072626338573
半導体の微細加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-346675
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183151
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 各種半導体装置に利用される半導体の微細加工方法に関するもので、エッチングレートの制御性とエッチング表面の平坦性に優れた半導体微細加工方法を提供すること。【構成】 半導体試料を過酸化水素などの酸化剤と硫酸などの溶解剤に交互に繰り返し浸すことにより、エッチングレートが小さくて制御性のよい面方位選択性エッチングが可能となる。また半導体試料を面方位選択性エッチングしたのち、水などの緩衝剤を多量に含むエッチングレートの小さい等方性エッチング溶液で荒れたエッチング表面を研磨することにより、メサ形状を保ちエッチング表面の平坦性がよい半導体微細加工が実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体試料を酸化剤またはこれを主成分とするエッチング溶液に浸す工程と、この半導体試料を溶解剤またはこれを主成分とするエッチング溶液に浸す工程とを交互に繰り返す工程を備えた半導体の微細加工方法。
IPC (5件)：
H01L 29/68
, H01L 21/306
, H01L 29/06
, H01L 29/804
, H01S 3/18
