有機半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：森哲也 , 内藤嘉昭 , 崔秀▲てつ▼
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002008070
公開番号（公開出願番号）：WO2003-016599
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月27日
要約：

本発明は、エレクトロニクス、フォトニクス、バイオエレクトロニクス等において好適に用いられる有機半導体薄膜及びその製造方法に関する。また、該有機半導体薄膜の原料となる有機半導体溶液に関する。さらに、該有機半導体薄膜を用いた有機半導体素子に関する。本発明のトランジスタは、ゲート電極(2)と、絶縁体層(3)と、ソース電極、ドレイン電極(4,4)とを、ガラス基板(5)上に順次積層し、さらにその上に、ペンタセンのo-ジクロロベンゼン溶液(0.05質量%)を塗布し乾燥して有機半導体薄膜(1)を形成することによって得られる。該有機半導体薄膜(1)は低コスト且つ容易に形成することが可能であり、欠陥がほとんどないことから、本発明は電子特性の優れたトランジスタを提供できる。

請求項（抜粋）：

ポリアセン化合物と、該ポリアセン化合物を溶解可能なポリアセン化合物可溶性溶媒で少なくとも一部が構成された溶媒と、を含有し、前記ポリアセン化合物可溶性溶媒が、芳香族ハロゲン化炭化水素,脂肪族ハロゲン化炭化水素,芳香族炭化水素,ラクトン化合物,及びカーボネート化合物のうちの少なくとも1種であることを特徴とする有機半導体溶液。

IPC (4件)：

H01L51/00 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786

FI (7件)：

H01L29/28 , H01L21/368 L , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 617V , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J

前のページに戻る