特許

J-GLOBAL ID：200903072630309030

半導体製造装置

発明者： 大場 隆之 ,  原 樹 ,  鈴木 寿哉 ,  三沢 信裕 ,  各務 克己
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 中島 洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307420
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163414
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 液体ソースを熱分解,酸化反応,または還元反応させて,半導体基板上に半導体,金属,酸化物,窒化物,シリサイドなどの薄膜を堆積するCVD(化学気相成長)装置に関し,処理室に安定して液体ソースを供給できるようにして,均一な薄膜を再現性良く形成できるようにする。【構成】 液体ソース1を収容する圧力容器2内へ与圧ガス3を導入して,圧力容器2の圧力を高めると共に,圧力容器2内の余剰ガス4を外部に放出して,圧力容器2内の圧力を一定に保つ。液体ソース1は,液体ソース輸送管7により,処理室11の近傍まで,液体のまま直接輸送される。処理室11の近傍まで輸送された液体ソース1は,気化・分離器8において,キャリアガス9により単分子または複数分子に気化または分離され,処理室11へ導入されて,ウェハ14上に薄膜を堆積する。

請求項（抜粋）：

液体ソースを熱分解または酸化反応もしくは還元反応させて,半導体基板上に半導体,金属,酸化物,窒化物,シリサイドなどの薄膜を堆積する化学気相成長装置であって,液体ソースを収容する圧力容器と,該圧力容器内へ与圧ガスを導入して,該圧力容器内の圧力を高める与圧手段と,前記圧力容器内の余剰ガスを外部に放出して,圧力容器内の圧力を一定に保つ圧力調節手段と,圧力容器内の液体ソースを処理室の近傍まで,液体のまま直接輸送する手段と,処理室の近傍まで輸送された液体ソースを,キャリアガスにより単分子または複数分子に気化または分離する気化・分離器とを含むことを特徴とする半導体製造装置。