特許
J-GLOBAL ID：200903072630913558
センサーとそれに用いられる抵抗素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999002665
公開番号（公開出願番号）：WO1999-061870
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 1999年12月02日
要約：
【要約】上面電極と下面電極とを有する抵抗素子2上に、裏面にゲート電極6を有する電界効果型トランジスタ素子3を、ゲート電極6と前記抵抗素子2の上面電極の一部が一致するように電気的に接続させ、基板上のグランド電極12と抵抗素子2の下面電極が一致するように電気的に接続させたセンサー。
請求項（抜粋）：
上面電極と下面電極とを有する抵抗素子と、外部からのエネルギーを感知して電気信号を生ずるセンサー素子と、ゲート電極がチップ裏面に形成されている電界効果型トランジスタ素子と、その上面に第1の電極、第2の電極、および第3の電極を有する基板とを具備し、前記抵抗素子の前記下面電極と前記基板の前記第1の電極を電気的に接続させ、前記電界効果型トランジスタ素子を前記ゲート電極と前記抵抗素子の前記上面電極の一部が一致するように前記抵抗素子上に電気的に接続させ、前記センサー素子の一方の電極と前記抵抗素子の前記上面電極の一部とを電気的に接続させ、前記電界効果型トランジスタ素子のソースとドレイン電極をそれぞれ基板上の前記第2の電極と前記第3の電極に電気的に接続し、前記センサー素子の他方の電極を前記基板上の前記第1の電極に電気的に接続させたセンサー。
IPC (4件)：
G01D 21/00
, G01L 1/18
, G01J 5/20
, H01L 49/00
