特許

J-GLOBAL ID：200903072637976423

多孔質低k誘電体膜を分離する構造および方法

発明者： カート ジー. ステイナー ,  スーザン クレイ ヴィトカヴェージ ,  スチーヴン アラン ライトル ,  ジェラルド ギブソン ,  スコット ジェセッン
出願人/特許権者： アギア システムズ インコーポレーテッド
代理人 (11件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  産形 和央 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-376123
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006627
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】多孔質低k誘電体膜を分離する構造および方法を提供すること。【解決手段】膜構造は、低k誘電体膜18,42および、バリア層膜6、エッチング停止膜30およびハードマスク膜54のようなN-H塩基源膜を含む。この低k誘電体膜と近接N-H塩基膜の間にTEOS膜が挟まれ、このTEOS膜12,24,36,48が、N-H塩基源膜から低k誘電体膜へのアミンまたは他のN-H塩基の拡散を抑制する。化学増幅型フォトレジスト内の酸触媒を中和する塩基基が低k誘電体膜中に存在しないので、この膜構造は、DUVリソグラフィおよび化学増幅型フォトレジストを使用してパターン形成することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

低k誘電体層と、 そこから拡散することができるN-H塩基基を含む窒素塩基層と、 前記低k誘電体層と前記窒素塩基層の間に直接挟まれた酸素含有層とを備える半導体製品。

IPC (3件)：

H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

FI (5件)：

H01L21/90 M ,  H01L21/312 C ,  H01L21/312 M ,  H01L21/30 563 ,  H01L21/90 V

Fターム (31件)：

5F033MM02 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F046HA07 ,  5F058AD05 ,  5F058AD10 ,  5F058AF01 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF25 ,  5F058BJ02