特許

J-GLOBAL ID：200903072639740729

バンプ形成方法

発明者： 河添 昭造 ,  岡野 秀仁 ,  伊香 和夫
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 藤本 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-021886
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190602
出願日： 1992年01月10日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 間隔が300μm以下の微細な回路パターンに対しても効率よく、かつ確実にバンプを付与できる方法を得ること。【構成】 易剥離性シート(11)の上に転写可能に設けた金属薄膜(12)と、基板(4)上に形成した回路パターン(3)を重ねて、前記の金属薄膜を回路パターン上に押圧転写するバンプ(2)の形成方法。【効果】 易剥離性シート上の金属薄膜を転写する簡単な方法で微細な回路パターンに対してもその所定位置に高精度に、従ってショート原因となるパターン間へのまたがり問題なくバンプを形成でき、付与バンプが膜厚の均一性や画一性に優れ、バンプを乾式方法で効率よく形成できる。加えて転写シートを介して他法では形成が困難な種々のバンプ形成材が容易に得られる。

請求項（抜粋）：

易剥離性シートの上に転写可能に設けた金属薄膜と、基板上に形成した回路パターンを重ねて、前記の金属薄膜を回路パターン上に押圧転写することを特徴とするバンプ形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/60 311 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/321 ,  H05K 3/04 ,  H05K 3/24