特許

J-GLOBAL ID：200903072642572039

スパッタリングターゲットとそれを用いて形成した磁性薄膜および薄膜磁気ヘッド

発明者： 菊池 誠 ,  石上 隆 ,  酒井 亮 ,  沢 孝雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033321
公開番号（公開出願番号）：特開平6-248445
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月06日
要約：

【要約】【目的】 高周波域において高飽和磁束密度等のより優れた軟磁気特性を示す磁性薄膜を、安定にかつ効率よく作製することを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。また高周波特性等に優れた磁性薄膜を提供する。【構成】 Fe、CoおよびNiから選ばれる少なくとも 1種の第1の金属元素(M1)と、Ta、Ti、 V、Mo、 W、Nb、Hf、Zrおよび希土類元素から選ばれる少なくとも 1種の第2の金属元素(M2)と、 B、Si、 C、 N、 Pおよび Oから選ばれる少なくとも 1種の非金属元素(X) とを少なくとも含む焼結スパッタリングターゲットである。ターゲットの焼結体組織内には、M2元素と X元素との化合物等の X元素を構成元素とする化合物が存在している。また、磁性薄膜は、上記スパッタリングターゲットを用いたスパッタ膜であって、M1元素を主とする微細結晶粒と、M2元素と X元素との化合物粒子とが少なくとも存在している。

請求項（抜粋）：

Fe、CoおよびNiから選ばれる少なくとも 1種の第1の金属元素と、Ta、Ti、 V、Mo、 W、Nb、Hf、Zrおよび希土類元素から選ばれる少なくとも 1種の第2の金属元素と、 B、Si、 C、 N、 Pおよび Oから選ばれる少なくとも 1種の非金属元素とを少なくとも含む焼結スパッタリングターゲットであって、焼結体組織内に少なくとも前記非金属元素を構成元素とする化合物が存在していることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/18 ,  H01F 41/18