特許

J-GLOBAL ID：200903072645141780

有機トランジスタの製造方法

発明者： 和田 隆亜
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-267591
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081165
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】 チャネル界面の絶縁層が、高移動度の低分子系材料を溶解しうる強い有機溶剤を塗布しても破壊されないようにすることによって、高い電気的特性を有する有機トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極と、少なくとも第一層と第二層とからなるゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層と、を少なくとも有する有機トランジスタの製造方法において、前記ゲート電極の上に第一層を形成する工程と、前記第一層の表面の一部に紫外線を照射する工程と、前記紫外線を照射した部分に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程と、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記第一層とは異なる材料からなる第二層を形成する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、少なくとも第一層と第二層とからなるゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層と、を少なくとも有する有機トランジスタの製造方法において、前記ゲート電極の上に第一層を形成する工程と、前記第一層の表面の一部に紫外線を照射する工程と、前記紫外線を照射した部分に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程と、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記第一層とは異なる材料からなる第二層を形成する工程とを含むことを特徴とする有機トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (9件)：

H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L29/28 390 ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/78 616K

Fターム (30件)：

5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06