特許

J-GLOBAL ID：200903072645337464

機械化学的研磨後の酸化物又は窒化物層の洗浄方法

発明者： フルーリ、アラン ,  タルディフ、フランソワ
出願人/特許権者： エスティマイクロエレクトロニクス エスエー ,  コミサリヤ・ア・エナジー・アトミック
代理人 (1件)： 岡田 次生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-515291
公開番号（公開出願番号）：特表2001-519599
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】本発明は、以下のステップを含む方法であり、酸化物又は窒化物の層に、アンモニアと過酸化水素の水溶液(NH4OH:H2O2:H2O)を噴霧する第1ステップと、酸化物又は窒化物の層に、フッ酸と塩酸の水溶液(HF/HCl/H2O)を噴霧する第2ステップとを含み、全部で4nmから6nmの深さに、酸化物又は窒化物の層をエッチングする。本発明は半導体デバイスの製造に利用する。

請求項（抜粋）：

機械化学的研磨の後に、基板に堆積した酸化物又は窒化物の層を洗浄する方法であって、 前記酸化物又は窒化物の層に、アンモニアと過酸化水素の水溶液(NH4OH/H2O2/H2O)を噴霧する第1のステップと、 前記酸化物又は窒化物の層に、フッ酸と塩酸の水溶液(HF/HCl/H2O)を噴霧する第2のステップとを含み、 前記酸化物又は窒化物の層を、全部で4nmから6nmの深さにエッチングする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/306 D

Fターム (11件)：

5F043AA31 ,  5F043AA37 ,  5F043BB22 ,  5F043BB25 ,  5F043DD01 ,  5F043DD16 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE22 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10