特許

J-GLOBAL ID：200903072649915373

半導体装置の製造方法

発明者： 中川 聡 ,  伊東 豊二 ,  尾藤 陽二 ,  長野 能久
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002835
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266200
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の一部を構成する強誘電体や白金の微細加工を容易に実現できるようにする。【解決手段】 半導体基板1の上にデバイス絶縁膜2を形成し、その上に下層白金膜3、強誘電体膜4、上層白金膜5及びチタン膜6を順次形成し、更にその上に所望のパターンのフォトレジストマスク7を形成する。この際、チタン膜6の厚さを、上層白金膜5と強誘電体膜4と下層白金膜3とからなる積層膜の厚さの合計の十分の一以上に設定する。次に、ドライエッチング法でチタン膜6をエッチングし、フォトレジストマスク7を灰化処理により除去する。このようにしてパターン化されたチタン膜6をマスクとし、かつ酸素ガスの体積濃度を40%に設定した塩素と酸素との混合ガスのプラズマを用いたドライエッチング法により、3層の積層膜3〜5をエッチングする。更に、塩素ガスのプラズマを用いたドライエッチング法でチタン膜6を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に、強誘電体、高誘電率材料及び白金のうちの少なくとも1つからなるエッチング対象膜を形成する工程と、前記エッチング対象膜の上に、酸化しやすい金属からなるパターン化されたマスクを形成する工程と、酸化性とハロゲン化性とを有するガスプラズマで前記エッチング対象膜を選択的にエッチングする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 A ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• Pt膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-175364   出願人：シャープ株式会社